|
Metode dan Algoritma | FeTRAM Teknologi RAM Baru, Lebih Hemat Daya Berkombinasikan Polimer & Nanowire Silikon . Anda bisa melakukan konsultasi tentang FeTRAM Teknologi RAM Baru, Lebih Hemat Daya Berkombinasikan Polimer & Nanowire Silikon melalui form di samping kanan !!!
Sebuah teknologi RAM (Random Access Memory) baru saat ini tengah dikembangkan oleh para peneliti. Dengan kombinasi tersebut, konsumsi energi RAM menjadi lebih hemat daya namun memiliki kecepatan yang jauh lebih baik.
FeTRAM, ferroelectric transistor random acces memory, merupakan hasil kombinasi antara nanowire dengan polimer. Menurut pembuatnya di Birck Nanotechnology Center (BNC) di Purdue University, berkat kombinasi tersebut, FetRAM memiliki performa tersendiri dibandingkan dengan RAM tradisional.
Ferroelektrik adalah material yang mempunyai kemampuan untuk berganti polaritas sesuai dengan medan yang berada di dekatnya. Sifat ini kemudian dimanfaatkan oleh para peneliti di BNC untuk membentuknya menjadi transistor ferroelektrik yang saat ini masih belum ada di pasaran.
ActionScript AS3 ASP.NET AJAX C / C++ C# Clipper COBOL ColdFusion DataFlex Delphi Emacs Lisp Fortran FoxPro Java J2ME JavaScript JScript Lingo MATLAB Perl PHP PostScript Python SQL VBScript Visual Basic 6.0 Visual Basic .NET Flash MySQL Oracle Android
Related Post :
Judul: FeTRAM Teknologi RAM Baru, Lebih Hemat Daya Berkombinasikan Polimer & Nanowire Silikon
Rating: 100% based on 99998 ratings. 5 user reviews.
Ditulis Oleh hank2
Rating: 100% based on 99998 ratings. 5 user reviews.
Ditulis Oleh hank2
Anda sedang membaca artikel tentang
FeTRAM Teknologi RAM Baru, Lebih Hemat Daya Berkombinasikan Polimer & Nanowire Silikon, Semoga artikel tentang FeTRAM Teknologi RAM Baru, Lebih Hemat Daya Berkombinasikan Polimer & Nanowire Silikon ini sangat bermanfaat bagi teman-teman semua, jangan lupa untuk mengunjungi lagi melalui link
FeTRAM Teknologi RAM Baru, Lebih Hemat Daya Berkombinasikan Polimer & Nanowire Silikon.